[发明专利]光刻大尺寸CCD芯片拼接曝光方法有效
| 申请号： | 201310377712.0 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103412468A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 李佳;刘方;杨洪;高建威;邓涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;寸南华 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 为解决现有技术光刻大尺寸CCD芯片的拼接曝光方法存在的相邻CCD拼接芯片电路结构所对应的几何图形在其连接处可能产生变形、不连贯、线路变宽或变窄等缺陷的问题，本发明提出一种光刻大尺寸CCD芯片拼接曝光方法，采用拼接方式分别对各CCD拼接芯片进行曝光，其特征在于，在上一块光刻掩膜版图形的拼接边上，设置有与下一块光刻掩膜版重叠的宽度为0.1微米的重叠区，并且，在重叠区内的几何图形的端头设置有大小为0.1微米×0.1微米的正方形补偿缺口。本发明的有益技术效果能够有效避免相邻CCD拼接芯片电路结构所对应的几何图形在其连接处可能产生变形、不连贯、线路变宽或变窄等缺陷，有效提高大尺寸CCD芯片的性能或质量。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 尺寸 ccd 芯片 拼接 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻大尺寸CCD芯片拼接曝光方法，采用拼接方式分别对各CCD拼接芯片进行曝光，其特征在于，在上一块光刻掩膜版图形的拼接边上，设置有与下一块光刻掩膜版重叠的宽度为0.1微米的重叠区，并且，在重叠区内的几何图形的端头设置有大小为0.1微米×0.1微米的正方形补偿缺口；所述补偿缺口是指在该区域的曝光设置与图形区相反。
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