[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 201310377683.8 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103414446A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 朱欣恩 | 申请（专利权）人： | 张家港恩达通讯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法以及包括该薄膜体声波谐振器的滤波器、振荡器和射频模块，其中的谐振器将功能层设置为环形结构，因此当通过第一电极和第二电极为压电材料施加纵向电压之后，利用其d31压电系数来激励与电场垂直的声波，就是横向方向，因此谐振频率与器件的宽度即是压电材料的宽度有关系。在现今的集成电路微加工工艺中，平面尺寸的控制精度要远远大于厚度的控制精度，比如CMOS65纳米工艺可以实现非常准确的65纳米的平面节点，其精度可以达到纳米级别，所以本发明中的FBAR器件能够保证同一晶圆上的谐振器的谐振频率高度一致，从而在极大降低了器件加工的难度同时大大提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括衬底层（1）和制备于所述衬底层（1）上的环形功能层（2）；所述环形功能层（2）包括沿远离所述衬底层（1）方向设置的第一电极（201）、压电材料层（202）和第二电极（203）；所述衬底层（1）上开设空气空腔（101），所述空气空腔（101）横向上面积大于所述环形功能层（2）外边界所围成的面积。
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