[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置有效
| 申请号： | 201310376361.1 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103680524B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/73 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 段承恩,杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的磁记录介质，具有在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层。基底层从基板侧起依次具有晶格常数a为2.87埃≤a＜3.04埃的第一基底层；晶格常数a为3.04埃≤a＜3.18埃的BCC结构的第二基底层；晶格常数a为3.18埃≤a＜3.31埃的BCC结构的第三基底层；和具有NaCl型晶体结构的上层基底层。第一基底层具有B2结构、或具有以Cr为主成分的BCC结构，本发明的磁记录介质采用热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式记录信息。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质，其特征在于，具有：在基板上形成的基底层；和在所述基底层上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层，所述基底层，从基板侧起依次具有：晶格常数a为2.87埃≤a＜3.04埃的第一基底层；晶格常数a为3.04埃≤a＜3.18埃的BCC结构的第二基底层；晶格常数a为3.18埃≤a＜3.31埃的BCC结构的第三基底层；和具有NaCl型晶体结构的上层基底层，所述第一基底层具有B2结构、或具有以Cr为主成分的BCC结构，所述磁记录介质是采用热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式记录信息的磁记录介质，所述磁性层具有(001)取向。
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