[发明专利]一种晶硅太阳能电池多层膜制备工艺无效
| 申请号： | 201310375974.3 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103413868A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 贾河顺;姜言森;任现坤;张春艳;马继磊;徐振华 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶硅太阳能电池减反射膜制备工艺，具体涉及一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺。本发明采用多次改变反应气体的通断，晶硅片一次进入镀膜设备形成两层或多层SiNx：H减反射膜。用该工艺可以提高太阳电池短路电流14-20mA，开路电压高1.1-5mV，效率提升0.1-0.2%，并且太阳电池分档更加集中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 多层 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶硅太阳能电池多层减反射膜制备工艺，其特征在于，在硅片的受光面设置两层以上减反射膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
