[发明专利]反向导通绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201310374500.7 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN104425578B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张硕;芮强;王根毅;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管，其包括N型衬底，形成于N型衬底正面的正面结构和形成于N型衬底背面的背面结构。背面结构包括形成于N型衬底背面的沟槽、形成于沟槽之间的背面P+区、设置于沟槽内的多晶硅以及形成于背面P+区和多晶硅上的背面金属层。该反向导通绝缘栅双极型晶体管采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。制造该反向导通绝缘栅双极型晶体管时只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。 | ||
| 搜索关键词： | 向导 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种反向导通绝缘栅双极型晶体管，包括N型衬底，形成于N型衬底正面的正面结构和形成于N型衬底背面的背面结构，其特征在于，所述背面结构包括直接形成于N型衬底背面、且与所述N型衬底直接接触的沟槽、形成于沟槽之间的背面P+区、设置于沟槽内的多晶硅以及形成于背面P+区和多晶硅上的背面金属层，所述多晶硅与所述N型衬底直接接触；所述正面结构和背面结构之间的N型衬底中设有复合中心。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310374500.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管及其制造方法
- 下一篇：一种有机发光显示装置及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
