[发明专利]射频LDMOS器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种射频LDMOS器件，包括漏区，在漏区之上具有栅氧化层，位于漏区正上方的栅氧化层被部分去除掉而形成一个窗口；在漏区和栅氧化层之上还具有多晶硅塞，多晶硅塞的一部分完全填充所述窗口而与漏区相接触，多晶硅塞的另一部分在栅氧化层之上；其特征是，所述漏区的掺杂浓度呈现为梯度变化；在垂直和水平方向上，越靠近多晶硅塞与漏区相接触的部位，漏区的掺杂浓度越高；反之亦然。本申请还公开了所述射频LDMOS器件的制造方法。本申请可以提高器件的击穿电压，改善软泄漏现象，并降低器件的输出电容。 1

主权项

1.一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在衬底上外延生长出一层外延层；第2步，在外延层上热氧化生长出一层栅氧化层，然后以光刻和离子注入工艺在外延层中形成漂移区，然后以光刻和刻蚀工艺将漂移区上方的栅氧化层部分地去除掉而形成一个栅氧化层窗口；第3步，在栅氧化层之上淀积一层多晶硅，或者淀积时原位掺杂，或者淀积后离子注入；然后以光刻和离子注入工艺将栅氧化层窗口正上方的多晶硅覆盖住，而对其余位置的多晶硅进行离子注入，这使得该多晶硅层的杂质分布在水平方向上不均匀；第4步，采用光刻和刻蚀工艺对该层多晶硅进行刻蚀，形成多晶硅栅极和多晶硅塞；多晶硅塞的底部将栅氧化层窗口完全填充并向外扩展；第5步，采用离子注入工艺在外延层中形成体区；第6步，采用光刻和离子注入工艺同时对体区和多晶硅塞进行离子注入，在体区中形成源区；多晶硅塞四周均被光刻胶所覆盖，多晶硅塞的上方未被光刻胶所覆盖；第7步，采用光刻和离子注入工艺在体区中形成体区引出区；第8步，进行退火工艺，使离子注入的栅极、多晶硅塞、源区、体区引出区的杂质扩散均匀；多晶硅塞中的杂质还向漂移区中扩散而形成漏区；由于多晶硅塞中的杂质在水平方向分布不均匀，在垂直方向又有扩散的距离差，而使得漏区的掺杂浓度呈现台阶状的梯度分布，即在垂直和水平方向，越靠近漏区与多晶硅塞相接触的部位，漏区的掺杂浓度越高；反之亦然；然后在体区引出区和源区的上方、栅极的上方、多晶硅塞的上方同时形成相互独立的金属硅化物；第9步，在硅片上方淀积金属前介质。