[发明专利]太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201310373013.9 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN103413867A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 胡海波 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/22 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法。该扩散制结方法包括:步骤S1.在硅片的表面上生长SiO2层,得到预处理硅片;步骤S2.在预处理硅片的SiO2层上进行磷扩散。本发明在沉积P原子之前,在硅片表面沉积SiO2层,SiO2层就会对发射区起到很好的保护作用,降低不活泼磷原子的浓度,进而降低过饱和浅结磷扩所造成的硅表面晶格损伤。并且上述方法简单、易实现,适用于大规模产业化生产。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 扩散 方法 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的扩散制结方法,其特征在于,所述扩散制结方法包括:步骤S1,在硅片的表面上生长SiO2层,得到预处理硅片;步骤S2,在所述预处理硅片的SiO2层上进行磷扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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