[发明专利]一种Ce：YAG多晶荧光体的制作方法有效
| 申请号： | 201310369769.6 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103468264A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 曹顿华;董永军;梁月山 | 申请（专利权）人： | 昆山开威电子有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;C30B28/06;C30B29/28 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 高文迪 |
| 地址： | 215345 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ce：YAG多晶荧光体的制作方法，该晶体化学式为：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种，包括以下步骤：将原料按化学式进行配比，混合均匀，压制成饼；在还原或惰性气氛下烧结成块，放入坩埚；采用感应加热或者电阻加热的方式，在还原或惰性气氛下对坩埚进行加热，使原料熔化，并让熔体在高于熔点50～100℃的条件下恒温2～10小时；按分段程序进行降温，得到Ce：YAG多晶荧光体。该Ce：YAG多晶荧光体具有良好的光学效率，生长速度快，成本低，是一种有前景的白光LED用荧光材料；多晶体在生长过程中不怕开裂，且生长要求低，周期短，可以极大降低生产成本，提高效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ce yag 多晶 荧光 制作方法 | ||
【主权项】：
一种Ce：YAG多晶荧光体的制作方法，该晶体化学式为： (Y1‑x‑mAxCem)3(Al1‑yBy)5O120≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05 其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种， 包括以下步骤： 1）将配比好的原料混合均匀，压制成饼； 2）在还原或惰性气氛下在1200～1400℃烧制料饼，烧制时间为10～20小时，烧结成块后放入坩埚； 3）采用感应加热或者电阻加热的方式，在还原或惰性气氛下对坩埚进行加热，加热至1970℃使原料熔化，在此基础上再升温50～100℃，让熔体在过热状态下恒温2～10小时，通过对流使原料充分混合均匀。 4）先把温度降至原料的熔点1970℃，然后按分段降温程序逐渐降温至室温，降温时间为10～20小时，冷却后得到Ce：YAG多晶荧光体。
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