[发明专利]一种Ce:YAG多晶荧光体的制作方法有效

专利信息
申请号: 201310369769.6 申请日: 2013-08-22
公开(公告)号: CN103468264A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 曹顿华;董永军;梁月山 申请(专利权)人: 昆山开威电子有限公司
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;C30B28/06;C30B29/28
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 高文迪
地址: 215345 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 ce yag 多晶 荧光 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及LED生产制造领域,尤其涉及一种Ce:YAG多晶荧光体的制作方法。

背景技术

LED是一种固态的半导体器件,它可以直接把电能转化为光能。与传统的白炽灯、荧光灯相比,白光LED具有耗电量小、发光效率高、使用寿命长、节能环保等优点,因此其不仅在日常照明领域得到广泛的应用,而且进入显示设备领域。目前,获取白光LED的技术可以分为两大类,即:(1)采用发射红、绿、蓝色光线的三种LED芯片混合;(2)采用单色(蓝光或紫外)LED芯片激发适当的荧光材料。目前白光LED主要是利用蓝光LED芯片和可被蓝光有效激发的、发黄光的荧光粉Ce3+:YAG结合,再利用透镜原理将互补的黄光和蓝光予以混合,从而得到白光。

对于采用荧光粉封装的结构,存在以下缺点:1)荧光粉激发效率和光转换效率低;2)荧光粉颗粒及分散的均匀性很难得到有效解决;3)荧光粉缺失红色发光成分,很难制备低色温、高显色性指数的白光LED;4)荧光粉光衰大,白光LED寿命短;5)荧光粉物化性能差,不适应大功率LED发展需求。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术中的缺陷,提供一种能够具有良好光学性能,可用于白光LED生产的Ce:YAG多晶荧光体制作方法。

为解决上述问题,本发明的一种Ce:YAG多晶荧光体的制作方法,该晶体化学式为:

(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12

0≤x≤1,0≤y≤1,0≤m≤0.05

其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种;B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种,

包括以下步骤:

1)将配比好的原料混合均匀,压制成饼;

2)在还原或惰性气氛下在1200~1400℃烧制料饼,烧制时间为10~20小时,烧结成块后放入坩埚;

3)采用感应加热或者电阻加热的方式,在还原或惰性气氛下对坩埚进行加热,加热至1970℃使原料熔化,在此基础上再升温50~100℃,让熔体在过热状态下恒温2~10小时,通过对流使原料充分混合均匀。

4)先把温度降至原料的熔点1970℃,然后按分段降温程序逐渐降温至室温,降温时间为10~20小时,冷却后得到Ce:YAG多晶荧光体;

所述步骤4)中,分段降温程序包括:

第一段,将温度从1970℃降至1200℃,降温时间为4~8小时;

第二段,将温度从1200℃降至室温,降温时间为6~9小时。

所述步骤4)中,分段降温程序包括:

第一段,将温度从1970℃降至1600℃,降温时间为6~8小时;

第二段,将温度从1600℃降至1000℃,降温时间为5~7小时;

第三段,将温度从1000℃降至室温,降温时间为5~7小时。

采用本发明方法制得的Ce:YAG多晶荧光体,与现有技术相比,具有以下有益效果:

1)该Ce:YAG多晶荧光体具有良好的光学效率,生长速度快,成本低,是一种有前景的白光LED用荧光材料;

2)该Ce:YAG多晶体可以掺杂高浓度的铈离子,铈离子在Ce:YAG多晶中的实际掺杂浓度可大于1%;

3)多晶体在生长过程中不怕开裂,且生长要求低,周期短,可以极大降低生产成本,提高效益。

附图说明

图1为本发明中加热装置的示意图;

图2为实施例一中多晶体用蓝光LED激发时的相对能量分布曲线。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明技术方案,下面结合实施方式对本发明作进一步的详细说明。

本发明使用的加热装置,如图1所示,包括坩埚3以及保温层2,保温层2外缠绕感应线圈4,坩埚3内用于生成多晶体6;所述坩埚3上盖有保温罩1,保温罩1上开设有观察孔5。

实施例1:

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