[发明专利]一种Ce：YAG多晶荧光体的制作方法

权利要求书

1.一种Ce：YAG多晶荧光体的制作方法，该晶体化学式为： 

(Y_1-x-mA_xCe_m)₃(Al_1-yB_y)₅O₁₂

0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05 

其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种， 

包括以下步骤： 

1）将配比好的原料混合均匀，压制成饼； 

2）在还原或惰性气氛下在1200～1400℃烧制料饼，烧制时间为10～20小时，烧结成块后放入坩埚； 

3）采用感应加热或者电阻加热的方式，在还原或惰性气氛下对坩埚进行加热，加热至1970℃使原料熔化，在此基础上再升温50～100℃，让熔体在过热状态下恒温2～10小时，通过对流使原料充分混合均匀。 

4）先把温度降至原料的熔点1970℃，然后按分段降温程序逐渐降温至室温，降温时间为10～20小时，冷却后得到Ce：YAG多晶荧光体。 

2.如权利要求1所述的Ce：YAG多晶荧光体的制作方法，其特征在于，所述步骤4）中，分段降温程序包括： 

第一段，将温度从1970℃降至1200℃，降温时间为4～8小时； 

第二段，将温度从1200℃降至室温，降温时间为6～9小时。 

3.如权利要求1所述的Ce：YAG多晶荧光体的制作方法，其特征在于，所述步骤4）中，分段降温程序包括： 

第一段，将温度从1970℃降至1600℃，降温时间为6～8小时； 

第二段，将温度从1600℃降至1000℃，降温时间为5～7小时； 

第三段，将温度从1000℃降至室温，降温时间为5～7小时。