[发明专利]一种镁合金表面水热沉积法制备的缓蚀性阴离子插层水滑石薄膜

摘要

本发明提出了一种缓蚀性阴离子插层水滑石薄膜的制备方法，其解决了现有技术中制备工艺复杂、水滑石薄膜涂层附着性能差的问题。该制备方法包括以下步骤：a）对镁合金样品进行预处理的步骤；b）配制层状双羟基复合金属氧化物前驱体（LDHs溶胶）的步骤；c）将步骤a）预处理得到的镁合金样品和步骤b）的LDHs溶胶置于水热反应釜中进行水热沉积的步骤。本发明制备得到的薄膜层致密、光滑、厚度均匀，与基体结合力好，由于水滑石薄膜具有缓蚀性的阴离子插层，可在边界扩散层形成缓蚀区域，具有较高的耐腐蚀性能，经检测：本发明水滑石薄膜在3.5%NaCl溶液中浸泡12h，表面无点蚀坑。

主权项

一种缓蚀性阴离子插层水滑石薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：a）对镁合金样品进行预处理的步骤；b）配制层状双羟基复合金属氧化物前驱体的步骤；c）将步骤a）预处理得到的镁合金样品和步骤b）的层状双羟基复合金属氧化物前驱体置于水热反应釜中进行水热沉积的步骤。