[发明专利]一种镁合金表面水热沉积法制备的缓蚀性阴离子插层水滑石薄膜

权利要求书

1.一种缓蚀性阴离子插层水滑石薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

a）对镁合金样品进行预处理的步骤；

b）配制层状双羟基复合金属氧化物前驱体的步骤；

c）将步骤a）预处理得到的镁合金样品和步骤b）的层状双羟基复合金属氧化物前驱体置于水热反应釜中进行水热沉积的步骤。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤b）中的层状双羟基复合金属氧化物前驱体为LDHs溶胶，所述LDHs溶胶的配制包括以下步骤：

d）将可溶性二价金属盐AY₂和可溶性三价金属盐BY₃按照物质的量之比2∶1溶于去离子水中，配制成0.02～0.2mol/L AY₂和0.01～0.1mol/L BY₃的混合溶液，将混合溶液置于三口烧瓶中搅拌、加热至60～80℃；

e）称取一定物质的量的NaOH和缓蚀性阴离子钠盐溶于与步骤d）等量的去离子水中，在N₂保护下将其缓慢加入步骤d）所述三口烧瓶中，调节pH为9～10，温度保持在60～80℃，加热搅拌72h，陈化12h，制得LDHs溶胶。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤c）水热沉积的步骤包括：将预处理得到的镁合金样品和LDHs溶胶置于水热反应釜中，其中，LDHs溶胶填充度为70%，之后将水热反应釜放入干燥箱中进行水热沉积，温度为120～160℃，时间为12～72h，即得缓蚀性阴离子插层水滑石薄膜。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述可溶性二价金属盐为Mg(NO₃)₂、Co(NO₃)₂、Ni(NO₃)₂、Zn(NO₃)₂、MgCl₂、CoCl₂、NiCl₂或ZnCl₂；所述可溶性三价金属盐为Al(NO₃)₃、Fe(NO₃)₃、Cr(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃、Ti(NO₃)₃、AlCl₃、FeCl₃、CrCl₃、CeCl₃或TiCl₃。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述步骤e）中NaOH物质的量是AY₂物质的量的3.25倍；所述缓蚀性阴离子钠盐物质的量是BY₃物质的量的2倍。

6.如权利要求1～5制备得到的一种缓蚀性阴离子插层的水滑石薄膜，其特征在于：所述水滑石薄膜化学通式为：

[A_1-x，B_x(OH)₂]^x+(M)^n-_x/2·mH₂O，

其中，A为二价金属离子：Mg²⁺、Co²⁺、Ni²⁺或Zn²⁺中的一种；

B为三价金属离子：Al³⁺、Fe³⁺、Cr³⁺、Ce³⁺或Ti³⁺中的一种；

(M)^n-为具有缓蚀性的阴离子：钒酸根、钼酸根、钨酸根、铬酸根、磷酸根。

7.根据权利要求6所述的一种缓蚀性阴离子插层的水滑石薄膜，其特征在于：所述水滑石薄膜在3.5%NaCl溶液中浸泡12h，表面无点蚀坑。