[发明专利]一种复合纳米薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310367859.1 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103396573A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;杨文耀;徐建华;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L65/00;C08L79/04;C08L79/02;C08K9/00;C08K3/04;C08G61/12;C08G73/06;C08G73/02 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合纳米薄膜的制备方法，属于电子薄膜材料领域，首先将氧化石墨烯量子点采用LB膜的方法组装于基片上，然后将导电聚合物采用旋涂的方式沉积于氧化石墨烯量子点上，从而形成一种导电聚合物紧密包裹氧化石墨烯量子点的复合纳米薄膜。本发明所提供的氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷，易于实现大面积成膜，并且制备方法合理简单、易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①将氧化石墨烯量子点分散于有机溶剂中，形成氧化石墨烯量子点分散溶液； ②将氧化石墨烯量子点分散溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面，氧化石墨烯量子点分散铺展于超纯水表面；③控制LB膜设备滑障压缩氧化石墨烯量子点膜到成膜膜压，形成高密度有序排列氧化石墨烯量子点薄膜结构，并采用水平成膜的方式将氧化石墨烯薄膜转移至ITO基片表面；④将3，4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁加入无水乙醇溶剂，获得导电聚合物聚3，4‑乙烯二氧噻吩溶液；⑤采用旋涂方法将步骤④获得的溶液沉积于氧化石墨烯量子点薄膜上，形成氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜。
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