[发明专利]一种复合纳米薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种复合纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①将氧化石墨烯量子点分散于有机溶剂中，形成氧化石墨烯量子点分散溶液； 

②将氧化石墨烯量子点分散溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面，氧化石墨烯量子点分散铺展于超纯水表面；

③控制LB膜设备滑障压缩氧化石墨烯量子点膜到成膜膜压，形成高密度有序排列氧化石墨烯量子点薄膜结构，并采用水平成膜的方式将氧化石墨烯薄膜转移至ITO基片表面；

④将3，4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁加入无水乙醇溶剂，获得导电聚合物聚3，4-乙烯二氧噻吩溶液；

⑤采用旋涂方法将步骤④获得的溶液沉积于氧化石墨烯量子点薄膜上，形成氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜。

2.根据权利要求1所述的复合纳米薄膜的制备方法，其特征在于，更具体的步骤为：

①将羧基化氧化石墨烯量子点分散于N,N-二甲基乙酰胺中，羧基化氧化石墨烯量子点的浓度为5～7mg/ml，形成用于LB膜制备的氧化石墨烯量子点分散液；

②将3，4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁加入无水乙醇溶剂，形成用于旋涂的聚3，4-乙烯二氧噻吩溶液，其中3，4乙烯二氧噻吩和甲基苯磺酸铁的质量比为1：4。

③采用微量进样器抽取400～600 μl 步骤①获得的溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面，待N,N-二甲基乙酰胺挥发30 min后开始压膜；

④控制LB膜设备滑障以0.5-1 mm/min的速度压缩氧化石墨烯膜到膜压20-25 mN/m，采用水平成膜的方式将氧化石墨烯量子点膜转移至硅基片上，成膜速率为0.3-0.5 mm/min；

⑤将沉积了氧化石墨烯量子点膜的基片置于旋涂仪上，采用旋涂的方法将步骤②获得的溶液旋涂于氧化石墨烯量子点薄膜上，形成氧化石墨烯量子点/导电聚合物复合纳米薄膜。

3.根据权利要求1所述的复合纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯量子点为羧基化或氨基化的氧化石墨烯片，其片径小于100nm。

4.根据权利要求1所述的复合纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机溶机为N,N-二甲基乙酰胺。

5.根据权利要求1所述的复合纳米薄膜的制备方法，其特征在于，通过制备不同层数的氧化石墨烯量子点膜，获得不同厚度的氧化石墨烯量子点/导电聚合物薄膜。