[发明专利]相变存储器的形成方法在审
| 申请号： | 201310365826.3 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425711A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一电极层，所述第一电极层的表面与第一介质层的表面齐平；在所述第一介质层和第一电极层表面形成第二介质层，所述第二介质层内具有暴露出部分第一电极层表面的开口；采用选择性无电沉积工艺在所述开口底部的第一电极层表面形成导电层，所述导电层的表面低于第二介质层表面；在所述导电层表面形成填充满所述开口的第二电极层；在所述第二电极层表面形成相变层。所形成的相变存储器性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一电极层，所述第一电极层的表面与第一介质层的表面齐平；在所述第一介质层和第一电极层表面形成第二介质层，所述第二介质层内具有暴露出部分第一电极层表面的开口；采用选择性无电沉积工艺在所述开口底部的第一电极层表面形成导电层，所述导电层的表面低于第二介质层表面；在所述导电层表面形成填充满所述开口的第二电极层；在所述第二电极层表面形成相变层。
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