[发明专利]一种原子级清洁转移石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201310362356.5 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103449418A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王栋;李景;万立骏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种CVD石墨烯的高效转移和获取原子级清洁表面的方法，其包括如下步骤：在石墨烯/金属基底表面旋涂一层PMMA溶液，待其固化后通过(NH4)2S2O8溶液腐蚀除去金属基底，石墨烯/PMMA清洗后用目标基底捞起干燥，然后选用有机酸溶剂溶解PMMA层，最后通过高温退火方式进一步除去石墨烯表面残留PMMA，从而获取原子级清洁的石墨烯表面。本发明提供的石墨烯表面面积大，结构完整，缺陷和PMMA残留少。本发明所提供的方法PMMA残留极少，更容易获取原子级清洁的表面。该方法所获取的石墨烯适用于构筑电子器件如场效应晶体管、发光二极管、透明电极等，亦可用于表界面的理论研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 清洁 转移 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种原子级清洁CVD石墨烯的转移方法，其特征在于，选用有机酸作溶剂去除PMMA涂层。优选地，所述有机酸选自乙酸、三氟乙酸、甲酸、草酸中至少一种。优选乙酸。
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