[发明专利]一种提高铜锌锡硫薄膜晶粒尺寸和致密度的制备方法无效
申请号: | 201310355152.9 | 申请日: | 2013-08-15 |
公开(公告)号: | CN103400903A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 姚斌;肖振宇;丁战辉;李永峰 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;C01G19/00 |
代理公司: | 长春市四环专利事务所 22103 | 代理人: | 郭耀辉 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供一种高致密,大晶粒,四方结构铜锌锡硫薄膜材料的制备方法,属于半导体光电材料和新能源材料领域,其特征是以醋酸铜(Cu(CH3OO)2·H2O)、醋酸锌(Zn(CH3COO)2)、氯化锡(SnCl2)、硫脲(CN2H4S)等四种化合物为原料,利用旋涂法制成铜锌锡硫薄膜后,通过密封石英管高温硫化过程制备出高致密度、结晶质量好的铜锌锡硫薄膜材料,本方法具有制备工艺简单,反应时间短,成分和结构可控,成本低廉,生产过程无污染等优点,可用于大批量铜锌锡硫薄膜光伏电池吸收材料的生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 铜锌锡硫 薄膜 晶粒 尺寸 致密 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜锌锡硫薄膜材料的制备方法,其特征在于以醋酸铜(Cu(CH3OO)2·H2O)、醋酸锌(Zn(CH3COO)2)、氯化锡(SnCl2)、硫脲(CN2H4S)等四种化合物为原料,通过旋涂法制成铜锌锡硫薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
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