[发明专利]一种提高铜锌锡硫薄膜晶粒尺寸和致密度的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310355152.9 申请日: 2013-08-15
公开(公告)号: CN103400903A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 姚斌;肖振宇;丁战辉;李永峰 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032;C01G19/00
代理公司: 长春市四环专利事务所 22103 代理人: 郭耀辉
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供一种高致密,大晶粒,四方结构铜锌锡硫薄膜材料的制备方法,属于半导体光电材料和新能源材料领域,其特征是以醋酸铜(Cu(CH3OO)2·H2O)、醋酸锌(Zn(CH3COO)2)、氯化锡(SnCl2)、硫脲(CN2H4S)等四种化合物为原料,利用旋涂法制成铜锌锡硫薄膜后,通过密封石英管高温硫化过程制备出高致密度、结晶质量好的铜锌锡硫薄膜材料,本方法具有制备工艺简单,反应时间短,成分和结构可控,成本低廉,生产过程无污染等优点,可用于大批量铜锌锡硫薄膜光伏电池吸收材料的生产。
搜索关键词: 一种 提高 铜锌锡硫 薄膜 晶粒 尺寸 致密 制备 方法
【主权项】:
一种铜锌锡硫薄膜材料的制备方法,其特征在于以醋酸铜(Cu(CH3OO)2·H2O)、醋酸锌(Zn(CH3COO)2)、氯化锡(SnCl2)、硫脲(CN2H4S)等四种化合物为原料,通过旋涂法制成铜锌锡硫薄膜。
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