[发明专利]成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法有效
| 申请号： | 201310354099.0 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104377123B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李琳松 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法，包括1）在硅片的正面和背面上，分别沉积保护膜；2）在硅片背面进行第一沟槽刻蚀；3）在硅片背面沉积第一沟槽封口膜；4）在硅片正面进行第二沟槽刻蚀；5）在硅片正面沉积第二沟槽封口膜；6）去除硅片背面的第一沟槽封口膜和保护膜，以及去除硅片正面的第二沟槽封口膜和保护膜；7）在硅片的沟槽侧壁和底部以及硅片表面成长栅极氧化层，并在栅极氧化层表面沉积多晶硅，填充满沟槽，从而形成IGBT沟槽型栅极。本发明能改善硅片翘曲度，形成低应力IGBT沟槽型栅极，避免工艺流程中的传送问题。 | ||
| 搜索关键词： | 成长 应力 igbt 沟槽 栅极 方法 | ||
【主权项】：
一种成长IGBT沟槽型栅极的方法，其特征在于，包括步骤：1)在硅片的正面和背面上，分别沉积保护膜；2)翻转硅片，使得硅片背面朝上，在硅片背面进行第一沟槽刻蚀；3)在硅片背面沉积第一沟槽封口膜，使步骤2)刻蚀的第一沟槽被封口；4)翻转硅片，使得硅片正面朝上，在硅片正面进行第二沟槽刻蚀；5)在硅片正面沉积第二沟槽封口膜，使步骤4)刻蚀的第二沟槽被封口；6)去除硅片背面的第一沟槽封口膜和保护膜，以及去除硅片正面的第二沟槽封口膜和保护膜；7)在硅片的所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁和底部以及硅片表面成长栅极氧化层，并在栅极氧化层表面沉积多晶硅，填充满所述第一沟槽和所述第二沟槽，从而形成IGBT沟槽型栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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