[发明专利]射频横向扩散晶体管无缺陷深场氧隔离的成长方法

摘要

本发明公开了一种射频横向扩散晶体管无缺陷深场氧隔离的成长方法，包括步骤1）在硅片上，刻蚀出沟槽；2）对硅片表面进行氧化处理，形成第一氧化层；3）在第一氧化层表面上，沉积第一非掺杂多晶硅层；4）对硅片表面进行氧化处理，形成多晶硅氧化层；5）在沟槽内，沉积第二非掺杂多晶硅层，完成沟槽的无缝填充，并通过回刻确保只有沟槽内存在非掺杂多晶硅；6）对硅片表面进行氧化处理，使沟槽内的非掺杂多晶硅表面被氧化隔离，然后，对硅片表面进行平坦化，从而形成深场氧隔离区。本发明可满足深场氧隔离的要求，降低器件寄生电容，确保了硅基板没有因为深场氧的引入而导致的晶格位错，保证器件的其他参数不被恶化。

主权项

一种射频横向扩散晶体管无缺陷深场氧隔离的成长方法，其特征在于，包括步骤：1)在硅片上，刻蚀出沟槽，深场氧隔离区的形成区域包括多个所述沟槽，所述沟槽的关键尺寸中的间距/线宽为0.5～3.0，所述沟槽的关键尺寸中的间距/线宽的比值使后续工艺中所述硅片的翘曲得到控制；所述沟槽形成后所述沟槽外的所述硅片表面露出；2)对具有沟槽的硅片表面进行氧化处理，形成第一氧化层，在所述深场氧隔离区的形成区域，所述第一氧化层的氧化处理工艺同时从侧面以及从顶部对所述沟槽之间的硅进行氧化且保证所述沟槽之间的硅有剩余，所述第一氧化层用于形成初次隔绝以及修复前层刻蚀损伤以及通过保留所述沟槽之间的硅来降低应力以及防止晶格位错缺陷发生；所述第一氧化层的厚度为500～2500埃；3)在第一氧化层表面上，沉积第一非掺杂多晶硅层；4)对沉积了第一非掺杂多晶硅层的硅片表面进行氧化处理，形成多晶硅氧化层；所述多晶硅氧化层形成主隔离层；5)在沟槽内，沉积第二非掺杂多晶硅层，完成沟槽的无缝填充，并通过回刻确保只有沟槽内存在非掺杂多晶硅；6)对沉积了第二非掺杂多晶硅层的硅片表面进行氧化处理，使沟槽内的非掺杂多晶硅表面被氧化隔离，然后，对硅片表面进行平坦化，从而形成深场氧隔离区。