[发明专利]一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法

摘要

本发明公开了一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法，主要包括：备料；装炉；抽真空，充氩气保护；下籽晶，进行YAG晶体等径提拉生长；升温，放入添加料，键合生长；恒温，继续生长；缓慢降温，直至完成生长。本发明相比现有技术具有以下优点：采用离子键合原理，让分子有序重新排列，生长出YAG与Nd:YAG键合晶体。不掺杂部分没有颜色，透明；掺杂键部分是暗红色，透明。没有颜色和暗红色交接部分粘接牢固，没有云层面，掺杂键合处的颗粒度很小，晶体离子键粘合力大。键合晶体干涉条纹和消光比等参数与Nd:YAG基本相同，晶体光学质量稳定、晶体质量好。适于应用于二极管泵浦的激光材料。

主权项

一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法，其特征在于，包括如下步骤：1）按照坩埚容积大小进行钇铝石榴石YAG备料，计算出YAG重量；然后根据化学式Nd3xY3‑3xAl5O12计算出掺杂Nd的添加重量，由于Nd2O3粉末容易散落，因此将Nd2O3粉末放在铱金坩埚内惰性气体保护，熔化提拉成多晶体，切割成条状作为添加料备用；2)在单晶炉对应热偶的外部一侧加装线轮，在单晶炉炉膛上方加装滑轮，滑轮水平方向距离提拉杆3‑5mm，线轮上绕有白金丝，白金丝前端穿过滑轮并吊有陶瓷重锤，陶瓷重锤下端用铱金丝固定住添加料，装添加料时要保温；3）做好界面生长晶体温场，往晶体炉的坩埚内投放YAG原料，做好上保温，调试好添加料的位置以使其随后能顺利加入干锅内，各项检察无误，关闭炉门，完成装炉；4）抽真空，然后充入高纯氩气进行保护；5）下籽晶，等径提拉生长，YAG晶体生长等径长度完成，停止提拉；6）升温，预热添加料，当条状多晶体有回熔状态时，通过控制线轮缓慢向下放入添加料；7）坩埚内液面回升，以与之前提拉相同速度提拉晶体，晶体不能离开液面，晶体周围发暗，要继续升温，控制好温度和投料速度比，保证晶体质量；8）投料结束，恒温1‑2小时，调整好生长温度，继续生长，直至缓慢降温完成晶体生长。