[发明专利]一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件有效
| 申请号： | 201310350487.1 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103441148A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 任敏;宋洵奕;吴明进;杨文韬;单亚东;顾鸿鸣;宋文龙;李泽宏;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/872;H01L29/40 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明在常规槽栅VDMOS器件槽栅结构两侧的漂移区中分别增加一个有肖特基结金属和体电极导电材料构成的附加结构；其中肖特基结金属上与源极金属接触，下与体电极导电材料接触，其余下表面和侧面部分与漂移区相接触形成肖特基结；体电极导电材料的侧面和底面与漂移区之间隔着一层介质层。本发明与具有相同尺寸的传统槽栅VDMOS器件相比可以在相同的击穿电压下，采用更高的漂移区掺杂浓度，因而导通电阻有明显的降低，同时二极管反向恢复特性有明显的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，其元胞结构包括：高掺杂第一导电类型半导体衬底（12）、与高掺杂第一导电类型半导体衬底（12）背面接触的漏极金属（13）和与高掺杂第一导电类型半导体衬底（12）正面接触的低掺杂第一导电类型半导体漂移区（11）；在低掺杂第一导电类型半导体漂移区（11）顶部两侧分别具有一个第二导电类型半导体体区（5），在每个第二导电类型半导体体区（5）中具有相互独立的高掺杂第一导电类型半导体源区（4）和高掺杂第二导电类型半导体体接触区（6），高掺杂第一导电类型半导体源区（4）和高掺杂第二导电类型半导体体接触区（6）的表面与源极金属（1）相接触；在低掺杂第一导电类型半导体漂移区（11）顶部中央具有由栅极导电材料（9）和栅介质层（10）构成的槽栅结构，其中栅介质层（10）包围栅极导电材料（9）的两侧和底部，栅介质层（10）分别于高掺杂第一导电类型半导体源区（4）、第二导电类型半导体体区（5）和低掺杂第一导电类型半导体漂移区（11）相接触；栅极导电材料（9）的顶部与源极金属（1）之间填充有隔离介质（3）；其特征在于：所述集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件的元胞结构中，在槽栅结构两侧的低掺杂第一导电类型半导体漂移区（11）中还分别具有一个有肖特基结金属（2）和体电极导电材料（7）构成的附加结构；其中所述肖特基结金属（2）的上表面与源极金属（1）接触，下表面中间部分与体电极导电材料（7）接触，其余下表面和侧面部分与低掺杂第一导电类型半导体漂移区（11）相接触形成肖特基结；体电极导电材料（7）的侧面和底面与低掺杂第一导电类型半导体漂移区（11）之间隔着一层介质层（8）。
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