[发明专利]LED外延的生长方法以及通过此方法获得的LED芯片

摘要

本发明提供了一种LED外延的生长方法，包括衬底的预处理、生长缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长掺Mg的高温P型GaN层以及退火步骤；生长不掺杂GaN层步骤具体包括：A、升高反应室内的温度，保持恒定；B、降低反应室内的压力，生长第一不掺杂GaN层；C、依次将生长第二不掺杂GaN层和生长第三不掺杂GaN层作为一个周期，重复循环20-30个周期。应用本发明的技术方案，通过高压和低压交错生长不掺杂GaN层，使得LED晶格位错密度降低至8E+8-7E+8个/cm2，从而使得其产品具有抗静电能力高、发光效率高以及反向漏电小的效果。

主权项

一种LED外延的生长方法，其特征在于：在MOCVD反应室内进行依次进行衬底的预处理、生长缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长掺Mg的高温P型GaN层以及退火的步骤；所述生长不掺杂GaN层步骤具体包括：A、将反应室内的温度经过70‑100s升高至1100‑1200℃，保持恒定；B、将反应室内的压力经过10‑30s降低至190‑250mbar，生长厚度为900‑1200nm的第一不掺杂GaN层；C、以依次生长第二不掺杂GaN层和生长第三不掺杂GaN层为一周期，重复循环20‑30个周期；所述生长第二不掺杂GaN层步骤具体为：将反应室内的压力经过20‑40s升高至800‑1000mbar，生长厚度为100‑200nm的第二不掺杂GaN层；所述生长第三不掺杂GaN层步骤具体为：将反应室内的压力经过8‑40s降低至120‑180mbar，生长厚度为100‑200nm的第三不掺杂GaN层。