[发明专利]深沟槽中感应材料的成膜方法有效
| 申请号： | 201310349622.0 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104370266A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林;郭晓波;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02;G03F7/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽中感应材料的成膜方法，在硅片上涂布需要成膜的感应材料后，刻蚀形成感应材料的最终图案前，进行步骤：1）在感应材料上涂布吸收频谱为193～635nm且阈值能量为5mj左右的第一光刻胶；2）烘烤，涂布光刻胶溶剂，溶解掉硅片表面的第一光刻胶，保留深沟槽内的第一光刻胶；3）涂布吸收频谱与第一光刻胶不同的第二光刻胶；4）曝光显影，使硅片表面及沟槽底部和侧面的光刻胶形成所需要的图形。本发明利用光刻胶的吸收频谱和光刻胶的能力不同的特性，通过两次涂胶来形成一定的光刻胶形貌，成功改善了光刻胶的形貌，提高了深沟槽侧壁和底部最终形成的感应材料薄膜的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 感应 材料 方法 | ||
【主权项】：
深沟槽中感应材料的成膜方法，其特征在于，在硅片上涂布需要成膜的感应材料后，刻蚀形成感应材料的最终图案前，包括有以下步骤：1）在感应材料上涂布一层吸收频谱为193～635nm、阈值能量为5mj以上的第一光刻胶；2）烘烤后，涂布光刻胶溶剂，溶解并去除硅片表面的第一光刻胶，保留深沟槽内的第一光刻胶；3）涂布一层吸收频谱与第一光刻胶不同的第二光刻胶；4）曝光并显影，使硅片表面以及沟槽底部和侧面的光刻胶形成所需要的图形。
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