[发明专利]深沟槽中感应材料的成膜方法有效
| 申请号： | 201310349622.0 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104370266A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林;郭晓波;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/02;G03F7/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 感应 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.深沟槽中感应材料的成膜方法，其特征在于，在硅片上涂布需要成膜的感应材料后，刻蚀形成感应材料的最终图案前，包括有以下步骤：
1）在感应材料上涂布一层吸收频谱为193～635nm、阈值能量为5mj以上的第一光刻胶；
2）烘烤后，涂布光刻胶溶剂，溶解并去除硅片表面的第一光刻胶，保留深沟槽内的第一光刻胶；
3）涂布一层吸收频谱与第一光刻胶不同的第二光刻胶；
4）曝光并显影，使硅片表面以及沟槽底部和侧面的光刻胶形成所需要的图形。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶为负性光刻胶，吸收频谱范围为248～365nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），烘烤温度为105℃，烘烤时间为90秒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶溶剂包括异丙酮。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二光刻胶为负性光刻胶，吸收频谱为248nm，阈值能量为5mj，透光系数为85%以上。
6.根据权利要求1-5任何一项所述的方法，其特征在于，采用旋涂的方法涂布第一光刻胶、光刻胶溶剂和第二光刻胶。
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