[发明专利]硅通孔填充的方法有效
| 申请号： | 201310347354.9 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104347490B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;程晓华;高杏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅通孔填充的方法，包括1）在硅衬底上，淀积一层介质层，刻蚀介质层和硅衬底，形成沟槽或孔；2）在介质层表面、沟槽或孔的侧壁和底部淀积一层氧化层；3）在步骤2）形成的氧化层表面上，依次淀积金属黏附层和金属阻挡层，并以金属黏附层和金属阻挡层作为金属垫层；4）通过钨的同步刻蚀填充方法，在金属阻挡层表面淀积钨；5）去除介质层上方的钨。本发明的方法操作简单，同时便与现有集成电路工艺集成，并利用现有生产设备进行加工，因此，可以降低工艺难度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 填充 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔填充的方法，其特征在于，包括步骤：1)在硅衬底上，淀积一层介质层，刻蚀介质层和硅衬底，形成沟槽或孔；沟槽或孔的深度为50～250微米，宽度为1.5～5微米；2)在介质层表面、沟槽或孔的侧壁和底部淀积一层氧化层；3)在步骤2)形成的氧化层表面上，依次淀积金属黏附层和金属阻挡层，并以金属黏附层和金属阻挡层作为金属垫层；4)通过钨的同步刻蚀填充方法，在金属阻挡层表面淀积钨；钨的同步刻蚀填充方法的步骤包括：单次淀积钨后，直接在腔体中进行同步刻蚀，并且淀积钨和同步刻蚀还能重复进行，直至将沟槽或孔填满钨；其中，单次淀积的钨厚度为沟槽或孔宽度的1/5～1/2，钨厚度不超过1.5微米；同步刻蚀中单次刻蚀量为钨淀积厚度的50％～80％；5)去除介质层上方的钨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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