[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

摘要

一种LDMOS器件及其形成方法，其中所述LDMOS器件，包括：P型衬底，所述P型衬底中具有N型掩埋隔离区；位于P型衬底上的P型外延层，所述P型外延层包括第一区域和第二区域，第一区域位于N型掩埋隔离区上方，第二区域环绕所述第一区域；位于P型外延层的第二区域中的环形沟槽，环形沟槽环绕P型外延层的第一区域，且所述环形沟槽底部暴露出N型掩埋隔离区表面；位于环形沟槽的两侧侧壁表面的隔离层；位于隔离层之间的环形沟槽内的环形导电插塞，环形导电插塞的底部与N型掩埋隔离区相接触；位于P型外延层的第一区域中的LDMOS晶体管。本发明的LDMOS器件隔离效果好，器件尺寸较小。

主权项

1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供P型衬底，所述P型衬底中形成有N型掩埋隔离区；在所述P型衬底上形成P型外延层，所述P型外延层包括第一区域和第二区域，第一区域位于N型掩埋隔离区上方，第二区域环绕所述第一区域；在所述P型外延层的第二区域中形成环形沟槽，环形沟槽环绕P型外延层的第一区域，且所述环形沟槽底部暴露出N型掩埋隔离区表面；在所述环形沟槽的两侧侧壁表面形成隔离层，所述隔离层环绕P型外延层的第一区域，用于第一区域中形成的LDMOS晶体管与第一区域外的P型外延层中形成的其他半导体器件的横向电学隔离；在隔离层之间的环形沟槽内形成环形导电插塞，环形导电插塞的底部与N型掩埋隔离区相接触，通过环形导电插塞向N型掩埋隔离区施加正电压，使得N型掩埋隔离区和P型衬底之间的PN结反偏，实现LDMOS晶体管与P型衬底之间的纵向隔离；在P型外延层的第一区域中形成LDMOS晶体管。