[发明专利]具有降低的偏置温度不稳定性(BTI)的器件在审
| 申请号： | 201310338519.6 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103578933A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | J.D.迈克尔;S.D.阿瑟;T.L.约翰逊;D.A.利利恩菲尔德 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/43 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;汤春龙 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件连同用于制造此类器件的方法。在某些实施例中，半导体器件包括使用限制半导体器件在操作期间诸如由偏置温度不稳定性引起的阈值电压偏移的金属形成的源电极。在某些实施例中，半导体器件可基于碳化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 偏置 温度 不稳定性 bti 器件 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供适合于半导体制造的碳化硅晶片；在每个碳化硅晶片上制造一个或多个半导体器件；通过沉积限制所述半导体器件在操作期间的阈值电压偏移的金属来形成每个半导体器件的源电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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