[发明专利]MOS晶体管的形成方法

摘要

一种MOS晶体管的形成方法，包括对所述层间介质层进行刻蚀形成第一开口，所述第一开口的位置对应于金属栅极结构和漏区的位置，且所述第一开口暴露出金属栅极结构的顶部表面、金属栅极结构侧壁的部分表面和漏区对应的接触孔刻蚀停止层表面，去除金属栅极结构顶部表面的金属氧化物后，再利用干法化学预清洗工艺去除剩余的接触孔刻蚀停止层。由于在去除金属氧化物之前，第一开口暴露出金属栅极结构侧壁的部分表面，位于金属栅极结构侧壁的接触孔刻蚀停止层仍有部分剩余，不会在半导体衬底内形成凹陷，使得最终形成的MOS晶体管的漏电流较小。

主权项

一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成金属栅极结构，所述金属栅极结构包括位于半导体衬底表面的栅介质层，以及位于栅介质层表面的金属栅极，在所述金属栅极结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；在所述金属栅极结构的侧壁表面、源区表面、漏区表面形成接触孔刻蚀停止层；在所述金属栅极结构和接触孔刻蚀停止层表面形成层间介质层；对所述层间介质层进行刻蚀形成第一开口，所述第一开口的位置对应于金属栅极结构和漏区的位置，且所述第一开口暴露出金属栅极结构的顶部表面、金属栅极结构侧壁的部分表面和漏区对应的接触孔刻蚀停止层表面；去除所述金属栅极结构顶部表面的金属氧化物；利用干法化学预清洗工艺去除第一开口底部剩余的接触孔刻蚀停止层，暴露出所述漏区表面，形成第一接触孔；在所述第一接触孔内形成第一导电插塞。