[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中所述鳍式场效应晶体管包括基底；位于所述基底上的氧化鳍部；位于所述氧化鳍部上的第二鳍部，所述第二鳍部的宽度大于所述氧化鳍部的宽度；位于所述第二鳍部暴露的表面的栅氧层；横跨所述氧化鳍部和第二鳍部的栅极。本发明提供的鳍式场效应晶体管的栅极与第二鳍部的相对面积大、功耗小和栅氧层的厚度均一。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上由下至上依次形成第一鳍部和第二鳍部，第一鳍部的宽度小于第二鳍部的宽度；形成第一鳍部和第二鳍部的方法包括：在所述基底上形成第一鳍部材料层，在第一鳍部材料层上形成第二鳍部材料层，在形成第一鳍部材料层期间，使用原位掺杂对所述第一鳍部材料层进行第一类型掺杂，或者，形成第一鳍部材料层后，形成第二鳍部材料层前，对所述第一鳍部材料层进行第一类型掺杂；在形成第二鳍部材料层期间，使用原位掺杂，对第二鳍部材料层进行第二类型掺杂，或者，形成第二鳍部材料层后，对第二鳍部材料层进行第二类型掺杂，第二类型与第一类型相同，且第二类型掺杂的浓度小于第一类型掺杂的浓度；完全氧化所述第一鳍部形成氧化鳍部；氧化所述第二鳍部暴露的表面，在所述第二鳍部暴露的表面形成栅氧层，完全氧化所述第一鳍部和氧化所述第二鳍部暴露的表面的步骤在同一步骤中进行；在形成栅极前，在所述氧化鳍部的侧壁形成侧墙，所述侧墙的高度等于或者小于所述氧化鳍部的高度；形成氧化鳍部和栅氧层后，形成横跨所述氧化鳍部和第二鳍部的栅极；通过调节栅极上的电压使氧化鳍部内不形成反型层，而在第二鳍部内形成反型层。