[发明专利]金刚石制造方法和DC等离子体增强CVD装置

摘要

通过在用于固定衬底（S）的平台电极（12）与电压施加电极（13）之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD方法，在衬底（S）上从含碳气体与氢气的气体混合物中生长金刚石。在通过施加DC电压生长金刚石的步骤期间，以预定时序在平台电极与电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。以稳定的生长速率制造优质的金刚石。

主权项

一种用于制造金刚石的方法，包括通过在用于固定所述衬底的平台电极与电压施加电极之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD方法，在衬底上从包括至少含碳气体和氢气的气体混合物生长金刚石的步骤，其中在通过施加DC电压生长金刚石的步骤期间，以预定时序在所述平台电极与所述电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。