[发明专利]检查结晶化的装置和方法在审
申请号: | 201310337242.5 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN103985654A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 秋秉权;朴喆镐;孙希根;金度烨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/84 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;姚志远 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 用于检查结晶化的装置包括:衬底,包括半导体层,半导体层包括彼此分离的多个结晶化区域;平台,被配置为改变衬底的位置,衬底放置在平台上;摄影单元,被配置为获取与半导体层有关的图像数据;检查单元,被配置为获取与半导体层有关的检查数据;以及控制单元,被配置为根据摄影单元所获取的图像数据输出与衬底的位置变化有关的变化数据。 | ||
搜索关键词: | 检查 结晶 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于检查结晶化的装置,所述装置包括:平台,被配置为改变衬底的位置,所述衬底放置在所述平台上并且包括半导体层,所述半导体层包括彼此分离的多个结晶化分离区域;摄影单元,被配置为获取与所述半导体层有关的图像数据;检查单元,被配置为获取与所述半导体层有关的检查数据;以及控制单元,被配置为根据所述摄影单元所获取的图像数据输出与所述衬底的位置的变化有关的变化数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造