[发明专利]一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法

摘要

本发明公开了一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结及制备方法，硅肖特基结包括Si基片，所述Si基片的上部设有Bi2Se3肖特基接触层，Si基片的底部设有欧姆接触背电极，所述Bi2Se3肖特基接触层上设有欧姆接触电极，Bi2Se3肖特基接触层与欧姆接触电极之间设有粘接层，所述粘接层由Cr或Ti制成。本发明采用上述结构，能够使Bi2Se3与n型Si之间构成了稳定的肖特基结，另外，粘接层能使Bi2Se3单晶薄片与Si片有效地粘贴在一起，适于规模化生产，且异质结界面的质量能够得到保证。

主权项

一种以Bi2Se3薄膜为接触层的硅肖特基结，其特征在于：包括Si基片（2），所述Si基片（2）的上部设有Bi2Se3肖特基接触层（1），Si基片（2）的底部设有欧姆接触背电极（3），所述Bi2Se3肖特基接触层（1）上设有欧姆接触电极（4），Bi2Se3肖特基接触层（1）与欧姆接触电极（4）之间设有粘接层，所述粘接层由Cr或Ti制成。