[发明专利]一种化学机械抛光模拟方法有效
| 申请号： | 201310332149.5 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103366071A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 马天宇;陈岚;孙艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G06F9/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械抛光模拟方法，包括，选择集成电路版图中的任意一根互连线为研究对象；以所述研究对象为基准，在所述集成电路版图所在的平面内，分别向所述研究对象的至少四个方向延展一个平坦化长度，形成所述研究对象的划分窗格；提取所述研究对象的划分窗格中版图结构的特征参数，所述特征参数至少包括等效密度、等效线宽和等效间距中的两个；根据所述特征参数，采用化学机械抛光模型进行化学机械抛光模拟；得到所述研究对象的金属碟形和/或介质侵蚀模拟结果。这种模拟方法使得CMP模拟过程更加准确，更加符合CMP的物理化学机理，从而能够得到更加精确的CMP模拟后芯片表面形貌，确保芯片良率和性能预测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 模拟 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械抛光模拟方法，其特征在于，包括步骤：选择集成电路版图中的任意一根互连线为研究对象；以所述研究对象为基准，在所述集成电路版图所在的平面内，分别向所述研究对象的至少四个方向延展一个平坦化长度，形成所述研究对象的划分窗格；提取所述研究对象的划分窗格中版图结构的特征参数，所述特征参数至少包括等效密度、等效线宽和等效间距中的两个；根据所述特征参数，采用化学机械抛光模型进行化学机械抛光模拟；得到所述研究对象的金属碟形和/或介质侵蚀模拟结果。
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