[发明专利]一种高纯液体多晶硅的制备方法有效
| 申请号： | 201310330768.0 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103626184A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李波;宫有圣;金越顺 | 申请（专利权）人： | 浙江精功新材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 发明涉及多晶硅制造技术领域，具体涉及一种高纯液体多晶硅的制备方法。包括以下步骤：1）将含硅气体通入预热器进行预热，预热温度为60-350℃；2）将步骤1）预热后的含硅气体初步加热升温，温度小于含硅气体的分解温度，升温至400-800℃；3）将步骤2）升温后的气体进行快速升温，升温到850-1800℃，升温速率为500-600℃/min；4）将步骤3）快速升温后的含硅气体通入反应器内，并保持反应器上部温度为850-1800℃，保持反应器底部温度为1450-1800℃；5）将聚集在反应器底部的液体多晶硅收集并由反应器底部排出用于下一工序的铸锭等工艺。该工艺制备的液体多晶硅直接用于铸锭，省去了多晶硅再次结晶的程序，简化了工艺，节约了成本，可以广泛应用于多晶硅的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 液体 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯液体多晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将含硅气体通入预热器进行预热，预热温度为60‑350℃；2）将步骤1）预热后的含硅气体初步加热升温，温度小于含硅气体的分解温度，升温至400‑800℃；3）将步骤2）升温后的气体进行快速升温，升温到850‑1800℃，升温速率为500‑600℃/min；4）将步骤3）快速升温后的含硅气体通入反应器内，并保持反应器上部温度为850‑1800℃，保持反应器底部温度为1450‑1800℃；5）将聚集在反应器底部的液体多晶硅收集并由反应器底部排出用于下一工序的铸锭等工艺。
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