[发明专利]导电几何结构及超材料有效
| 申请号： | 201310330427.3 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104347950B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导电几何结构及超材料，上述导电几何结构具有磁谐振响应性，其等效介电常数为正，等效磁导率为负，用于随H面入射波角度的改变而改变透波率与相移。本发明提供的导电几何结构和超材料具有随入射波角度的改变而改变透波率与相移能力，进而能够在不对天线本身结构进行改动也不牺牲某些参数的前提下提高天线的方向性系数同时降低其副瓣。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 几何 结构 材料 | ||
【主权项】：
1.一种导电几何结构，其特征在于，所述导电几何结构具有磁谐振响应性，其等效介电常数为正，等效磁导率为负，用于随H面入射波角度的改变而改变透波率与相移，所述导电几何结构为带有开口谐振环的磁谐振导电几何结构，所述导电几何结构的各方向晶格尺寸范围为：十分之一波长至四分之一波长，其中，所述导电几何结构呈磁表面等离激元效应，所述导电几何结构包括第一开口谐振环和第二开口谐振环，所述第一开口谐振环与所述第二开口谐振环相连接并形成连接边，所述第一开口谐振环的开口和所述第二开口谐振环的开口均在所述连接边的对侧。
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