[发明专利]导电几何结构及超材料

权利要求书

1.一种导电几何结构，其特征在于，所述导电几何结构具有磁谐振响应性，其等效介电常数为正，等效磁导率为负，用于随H面入射波角度的改变而改变透波率与相移，所述导电几何结构为带有开口谐振环的磁谐振导电几何结构，所述导电几何结构的各方向晶格尺寸范围为：十分之一波长至四分之一波长，其中，所述导电几何结构呈磁表面等离激元效应，所述导电几何结构包括第一开口谐振环和第二开口谐振环，所述第一开口谐振环与所述第二开口谐振环相连接并形成连接边，所述第一开口谐振环的开口和所述第二开口谐振环的开口均在所述连接边的对侧。

2.一种超材料，其特征在于，所述超材料其具有一层或多层的片层，每个所述片层单面或双面上均匀周期性排布有权利要求1中所述的导电几何结构。

3.根据权利要求2所述的超材料，其特征在于，所述片层中，至少有一层前后两面上的导电几何结构是非对称的，其中，所述非对称的形式包括以下至少之一：

导电几何结构为同种拓扑结构，细节尺寸相同，但排列方式不同；

导电几何结构为同种拓扑结构，但参数不同，所述参数包括以下至少之一：外形尺寸、线宽、缝隙开口宽度、电容结构长度；

导电几何结构属于不同拓扑结构。

4.根据权利要求2所述的超材料，其特征在于，所述片层中，每一层前后两面上的导电几何结构完全相同，但至少有两层的导电几何结构是非对称的，其中，所述非对称的形式包括以下至少之一：

至少两层上的导电几何结构为同种拓扑结构、细节尺寸相同，但导电几何结构的排列方式不同；

至少两层上的导电几何结构为同种拓扑结构，但参数不同，所述参数包括以下至少之一：外形尺寸、线宽、缝隙开口宽度、电容结构长度；

至少两层上的导电几何结构属于不同拓扑结构。

5.根据权利要求2所述的超材料，其特征在于，所述片层中，至少有一层前后两面上的导电几何结构是非对称的，且至少有两层的导电几何结构是非对称的，其中，

一层前后两面上的导电几何结构非对称的形式包括以下至少之一：导电几何结构为同种拓扑结构，细节尺寸相同，但排列方式不同；导电几何结构为同种拓扑结构，但参数不同，所述参数包括以下至少之一：外形尺寸、线宽、缝隙开口宽度、电容结构长度；导电几何结构属于不同拓扑结构；

至少有两层的导电几何结构非对称的形式包括以下至少之一：至少两层上的导电几何结构为同种拓扑结构、细节尺寸相同，但导电几何结构的排列方式不同；至少两层上的导电几何结构为同种拓扑结构，但参数不同，所述参数包括以下至少之一：外形尺寸、线宽、缝隙开口宽度、电容结构长度；至少两层上的导电几何结构属于不同拓扑结构。