[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：S101：在半导体衬底上形成核心器件的伪栅极界面层和伪栅极及IO器件的栅极界面层和伪栅极；S102：去除核心器件的伪栅极和IO器件的伪栅极；S103：去除核心器件的伪栅极界面层，形成核心器件的栅极界面层；S104：在核心器件的栅极界面层和IO器件的栅极界面层上分别形成核心器件的高k介电层和IO器件的高k介电层；还包括：进行高压氟退火在核心器件的栅极界面层和IO器件的栅极界面层引入氟离子，和/或，进行高压氟退火在核心器件的高k介电层和IO器件的高k介电层引入氟离子。该方法通过高压氟退火引入氟离子，提高了器件性能。本发明的半导体器件用上述方法制得，具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成核心器件的伪栅极界面层和伪栅极以及IO器件的栅极界面层和伪栅极；步骤S102：去除所述核心器件的所述伪栅极和所述IO器件的所述伪栅极；步骤S103：去除所述核心器件的所述伪栅极界面层，在所述核心器件的所述伪栅极界面层原来的位置形成所述核心器件的栅极界面层；步骤S104：在所述核心器件的所述栅极界面层和所述IO器件的所述栅极界面层之上分别形成所述核心器件的高k介电层和所述IO器件的高k介电层；其中，所述方法还包括：在所述步骤S103和所述步骤S104之间对所述半导体衬底进行高压氟退火处理以在所述核心器件的所述栅极界面层和所述IO器件的所述栅极界面层中引入氟离子的步骤，和/或，在所述步骤S104之后对所述半导体衬底进行高压氟退火处理以在所述核心器件的所述高k介电层和所述IO器件的所述高k介电层中引入氟离子的步骤。