[发明专利]一种稳定使用BOE腐蚀SiO2的缸体设计有效
| 申请号： | 201310316784.4 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104342757A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 孙永健;杨海艳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 朱红涛 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种稳定使用BOE腐蚀SiO2的缸体设计，所述缸体设计中湿法腐蚀区主要包括缸体部分和图形掩膜制备用特制腐蚀支架；其中缸体部分包括：高、低温酸性溶液腐蚀槽；BOE腐蚀槽；去离子水清洗槽；所述BOE腐蚀槽放入现有高温腐蚀设备中，使图形掩膜腐蚀和湿法腐蚀完美结合，对湿法腐蚀过程进行了整合；所述图形掩膜制备用腐蚀支架，为非固定在设备上的、独立的、设备配套的个体；腐蚀支架由腐蚀托盘及托盘支架组成。通过对缸体的设计改造，能够稳定使用BOE腐蚀SiO2的工艺，为提高外延生长晶体质量提供PSS产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 使用 boe 腐蚀 sio sub 缸体 设计 | ||
【主权项】：
一种稳定使用BOE腐蚀SiO2的缸体设计，其特征是，所述缸体设计中湿法腐蚀区主要包括缸体部分和图形掩膜制备用特制腐蚀支架；其中缸体部分包括：高、低温酸性溶液腐蚀槽（101，102）；BOE腐蚀槽（103）；去离子水清洗槽（104）；所述高、低温酸性溶液腐蚀槽位于图形掩膜制备腐蚀区后方；所述BOE腐蚀槽位于图形掩膜制备腐蚀区左前方；所述去离子水清洗槽位于图形掩膜制备腐蚀区右前方；所述图形掩膜制备用腐蚀支架，为非固定在设备上的、独立的、设备配套的个体；腐蚀支架由腐蚀托盘（603）及托盘支架（601）组成，腐蚀支架的底部为圆形水平托盘，托盘沿盘直径两端做支撑，上端有手柄相连，且手柄上要有和手型相对应的防滑凹槽；腐蚀托盘为具有一定厚度的圆形托盘，托盘正面为按一定间距排列的容纳相应尺寸晶片的浅槽；腐蚀支架托盘上分布有贯穿托盘正反面的孔洞。
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