[发明专利]一种稳定使用BOE腐蚀SiO2的缸体设计

权利要求书

1.一种稳定使用BOE腐蚀SiO₂的缸体设计，其特征是，所述缸体设计中湿法腐蚀区主要包括缸体部分和图形掩膜制备用特制腐蚀支架；

其中缸体部分包括：高、低温酸性溶液腐蚀槽（101，102）；BOE腐蚀槽（103）；去离子水清洗槽（104）；

所述高、低温酸性溶液腐蚀槽位于图形掩膜制备腐蚀区后方；

所述BOE腐蚀槽位于图形掩膜制备腐蚀区左前方；

所述去离子水清洗槽位于图形掩膜制备腐蚀区右前方；

所述图形掩膜制备用腐蚀支架，为非固定在设备上的、独立的、设备配套的个体；腐蚀支架由腐蚀托盘（603）及托盘支架（601）组成，腐蚀支架的底部为圆形水平托盘，托盘沿盘直径两端做支撑，上端有手柄相连，且手柄上要有和手型相对应的防滑凹槽；腐蚀托盘为具有一定厚度的圆形托盘，托盘正面为按一定间距排列的容纳相应尺寸晶片的浅槽；腐蚀支架托盘上分布有贯穿托盘正反面的孔洞。

2.如权利要求1所述的缸体设计，其特征是，所述BOE腐蚀槽体的材料为石英、陶瓷、塑料或其他能抗氢氟酸和氟化铵溶液的材料。

3.如权利要求1所述的缸体设计，其特征是，所述去离子水清洗槽体的材料为石英、陶瓷、塑料或其他能抗氢氟酸和氟化铵溶液的材料。

4.如权利要求1所述的缸体设计，其特征是，所述腐蚀托盘的直径在12.6-50cm之间。

5.如权利要求1所述的缸体设计，其特征是，所述浅槽的直径在5.1-31cm之间。

6.如权利要求1所述的缸体设计，其特征是，所述缸体部分各槽体的截面形状均同为圆形、椭圆形或矩形。