[发明专利]多晶硅均匀长晶工艺及其铸锭炉热场加热装置有效
| 申请号： | 201310315376.7 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103397377A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;熊华江;刘东雷;安广野;刘燕;黄佳琪;黄凯;李左;李鹏廷;王峰 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及多晶硅均匀长晶工艺及其铸锭炉热场加热装置。一种多晶硅均匀长晶工艺，包括装料抽真空，加氩气升压，升温保温使硅料熔化，晶体长晶，退火冷却降温，晶体长晶过程中，控制坩埚温度使其下降到1400～1420℃，首次调节凹型加热器的功率使硅料水平方向上各点间温度差在3℃之内；再次调节凹型加热器功率，完成长晶。多晶硅均匀长晶工艺的铸锭炉热场加热装置，包括石英坩埚外壁由内向外依次环绕的热电偶、侧部加热器和隔热层，石英坩埚的上部安装有凹型加热器，凹型加热器与侧部加热器相连接。本发明构思独特，在多晶硅铸锭过程中，控制顶部凹型加热器可以得到较为理想的固液界面。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 均匀 工艺 及其 铸锭 炉热场 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅均匀长晶工艺，包括装料抽真空，加氩气升压，升温保温使硅料熔化，晶体长晶，退火冷却降温，其特征在于晶体长晶过程中，控制坩埚温度使其下降到1400～1420℃，首次调节凹型加热器（3）的功率使硅料水平方向上各点间温度差在3℃之内；再次调节凹型加热器（3）功率，完成长晶。
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