[发明专利]多晶硅均匀长晶工艺及其铸锭炉热场加热装置

权利要求书

1.一种多晶硅均匀长晶工艺，包括装料抽真空，加氩气升压，升温保温使硅料熔化，晶体长晶，退火冷却降温，其特征在于晶体长晶过程中，控制坩埚温度使其下降到1400～1420℃，首次调节凹型加热器（3）的功率使硅料水平方向上各点间温度差在3℃之内；再次调节凹型加热器（3）功率，完成长晶。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅均匀长晶工艺，其特征在于所述的首次调节的功率范围为凹型加热器（3）的额定功率的5～10%。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅均匀长晶工艺，其特征在于所述的再次调节的功率调节到凹型加热器（3）的额定功率的30～40%。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅均匀长晶工艺，其特征在于长晶时间为28～40小时。

5.一种权利要求1所述的多晶硅均匀长晶工艺的铸锭炉热场加热装置，包括石英坩埚（7）外壁由内向外依次环绕的热电偶（6）、侧部加热器（5）和隔热层（4），其特征在于石英坩埚（7）的上部安装有凹型加热器（3），凹型加热器（3）与侧部加热器（5）相连接。

6.根据权利要求5所述的一种多晶硅铸锭炉热场加热装置，其特征在于凹型加热器（3）的曲率半径为8～9m。