[发明专利]基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路无效
| 申请号： | 201310311045.6 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103367638A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 温殿忠;李蕾 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张利明 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，涉及一种开关型低功率快速开关忆阻器的非易失存储器单元电路，为了解决现有非挥发存储器在硅基材料上制造MOS电容式结构的非易失存储器单元电路中，因MOS晶体管个数较多，导致硅片表面制造电路的电极联接复杂和开关忆阻器的功耗高的问题,本发明所述的MOS晶体管的漏极与纳米结构开关忆阻器的一端串联，纳米结构开关忆阻器由上电极、三层纳米膜和下电极组成；三层纳米膜由N型半导体层、中性半导体层和P型半导体层依次叠加组成；N型半导体层与上电极电气连接，P型半导体层与下电极电气连接，本发明适用于对数据的存储。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 结构 开关 忆阻器 非易失 存储器 单元 电路 | ||
【主权项】：
基于纳米结构开关忆阻器的非易失存储器单元电路，它包括MOS晶体管（2），其特征在于，它还包括纳米结构开关忆阻器（1）；所述的MOS晶体管（2）的漏极与纳米结构开关忆阻器（1）的一端串联连接，所述的纳米结构开关忆阻器（1）由上电极（1‑1）、三层纳米膜和下电极（1‑5）组成；所述的三层纳米膜由N型半导体层（1‑2）、中性半导体层（1‑3）和P型半导体层（1‑4）依次叠加组成；所述的N型半导体层（1‑2）与上电极（1‑1）电气连接，所述的P型半导体层（1‑4）与下电极（1‑5）电气连接，所述的N型半导体层（1‑2）的厚度为A纳米，所述的中性半导体层（1‑3）的厚度为B纳米，所述的P型半导体层（1‑4）的厚度为C纳米，所述的A的范围为从5到50，B的范围为从50到100，C的范围为从5到50，所述的纳米结构开关忆阻器（1）的一端为纳米结构开关忆阻器（1）的上电极（1‑1），所述的上电极（1‑1）和下电极（1‑5）均为铂纳米线电极。
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