[发明专利]一种垂直腔面发射半导体激光器无效
| 申请号： | 201310310745.3 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103390858A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张星;宁永强;秦莉;刘云;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/028 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体激光器领域。该半导体激光器包括P面电极、多层介质绝缘薄膜、P型DBR层、有源层、N型DBR层、衬底层和N面电极，所述的多层介质绝缘薄膜由光学厚度为四分之一波长的低折射率层和高折射率层组成，N型DBR层生长在有源层的下端，N型DBR层的下端顺次生长衬底层和N面电极，P型DBR层生长在有源层的上端，多层介质绝缘薄膜生长在由P型DBR层、有源层和N型DBR层构成的圆柱形台面的上表面和侧表面，P面电极生长在多层介质绝缘薄膜的上端。该半导体激光器能够将激光器有源区侧向泄漏的放大自发发射反馈回有源区，提高电光转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种垂直腔面发射半导体激光器，包括P面电极（1）、多层介质绝缘薄膜（2）、P型DBR层（3）、有源层（4）、N型DBR层（5）、衬底层（6）和N面电极（7），其特征在于，所述的多层介质绝缘薄膜（2）由光学厚度为四分之一波长的低折射率层（8）和高折射率层（9）组成，所述的N型DBR层（5）生长在有源层（4）的下端，N型DBR层（5）的下端顺次生长衬底层（6）和N面电极（7），P型DBR层生长在有源层（4）的上端，多层介质绝缘薄膜（2）生长在由P型DBR层（3）、有源层（4）和N型DBR层（5）构成的圆柱形台面的上表面和侧表面，P面电极（1）生长在多层介质绝缘薄膜（2）的上端。
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