[发明专利]一种垂直腔面发射半导体激光器无效
| 申请号： | 201310310745.3 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103390858A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张星;宁永强;秦莉;刘云;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/028 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 半导体激光器 | ||
1.一种垂直腔面发射半导体激光器，包括P面电极（1）、多层介质绝缘薄膜（2）、P型DBR层（3）、有源层（4）、N型DBR层（5）、衬底层（6）和N面电极（7），其特征在于，所述的多层介质绝缘薄膜（2）由光学厚度为四分之一波长的低折射率层（8）和高折射率层（9）组成，所述的N型DBR层（5）生长在有源层（4）的下端，N型DBR层（5）的下端顺次生长衬底层（6）和N面电极（7），P型DBR层生长在有源层（4）的上端，多层介质绝缘薄膜（2）生长在由P型DBR层（3）、有源层（4）和N型DBR层（5）构成的圆柱形台面的上表面和侧表面，P面电极（1）生长在多层介质绝缘薄膜（2）的上端。
2.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述的低折射率层（8）材料为SiO2，高折射率层（9）材料为TiO2或HfO2。
3.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述的P型DBR层（3）和N型DBR层（5）均为GaAs/AlAs结构。
4.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述的多层介质绝缘薄膜（2）为SiO2/TiO2或SiO2/HfO2周期性结构。
5.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述的P面电极（1）为Ti/Au或Ti/Pt/Au结构，N面电极（7）为Au/Ge/Ni、AuGeNi/Au、Au/Ge或Pt/Au/Ge结构。
6.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述的N型DBR层（3）、P型DBR层（5）、有源层（4）均使用MOCVD外延生长法生长。
7.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述的多层介质绝缘薄膜（2）采用电子束或磁控溅射法生长。
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