[发明专利]一种全金属密封EMCCD相机制冷杜瓦无效
申请号: | 201310308427.3 | 申请日: | 2013-07-22 |
公开(公告)号: | CN103456757A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 何凯;马文礼;王明富;汪旋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;F25D3/10 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 卢纪 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种全金属密封电子倍增电荷耦合器件(Electron Multiplication Charge Coupled Device,EMCCD)相机制冷杜瓦,它由热电制冷器(TEC),冷指,CCD插座,电子倍增电荷耦合器件(EMCCD),窗口,外壳,铜密封圈,底座组成。窗口,外壳和底座组成全金属密封真空腔,窗口与外壳通过阳极焊焊接,外壳与底座使用刀口法兰密封。TEC、冷指、EMCCD等置于真空腔中。TEC为该系统的冷源。腔内抽成真空,通过腔内的真空环境使EMCCD与外界环境的热量交换降到最低,从而保证制冷效果。该系统适用于EMCDD相机制冷领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 全金属 密封 emccd 相机 制冷 | ||
【主权项】:
一种全金属密封EMCCD相机制冷杜瓦,其特征在于包括:热电制冷器(TEC)(1)、冷指(2)、CCD插座(3)、EMCCD(4)、窗口(5)、外壳(6)、铜密封圈(7)和底座(8);窗口(5)、外壳(6)和底座(8)组成真空腔,窗口(5)与外壳(6)通过阳极焊焊接,外壳(6)与底座(8)使用刀口法兰密封,真空腔内需抽成真空,抽真空接口为焊接在底座(8)上的无氧铜管;待抽真空完毕后,使用夹封钳夹封该铜管;TEC(1)、冷指(2)、EMCCD(4)置于真空腔中;TEC(1)为该系统的冷源,通过腔内的真空环境使EMCCD(4)与外界环境的热量交换降到最低,从而保证制冷效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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