[发明专利]一种多步推进扩散工艺无效
| 申请号： | 201310305904.0 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104299896A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 曾虎 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多步推进扩散工艺，属于太阳能电池制造领域。该工艺采用了多步不同的杂质推进方式，通过改善杂质浓度分布解决了掺杂浓度和结深对短路电流密度和开路电压对立问题，提高了太阳能电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 推进 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种多步推进扩散工艺。其特征在于：采用了多步不同的推进方式，通过改善杂质浓度分布解决了掺杂浓度和结深对短路电流密度和开路电压对立问题，提高了太阳能电池效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
