[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201310302704.X | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103811570A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 金东珍 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;张军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种太阳能电池和一种制造太阳能电池的方法。太阳能电池包括：基底；第一电极层，位于基底上；光吸收层，位于第一电极层上；合金层，位于第一电极层与光吸收层之间；缓冲层，位于光吸收层上；第一通孔，形成为穿过缓冲层、光吸收层、合金层和第一电极层直至基底；以及绝缘阻挡件，位于第一通孔的至少一部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括：基底；第一电极层，位于基底上；光吸收层，位于第一电极层上；合金层，位于第一电极层与光吸收层之间；缓冲层，位于光吸收层上；第一通孔，形成为穿过缓冲层、光吸收层、合金层和第一电极层直至基底；以及绝缘阻挡件，位于第一通孔的至少一部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
