[发明专利]ECR-PEMOCVD系统对InN/ZnO/自支撑金刚石膜结构的制备方法有效
| 申请号： | 201310300540.7 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103388146A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赵琰;张铁岩;王存旭;王晓文;张宏丽;许鉴;李昱材;王健;王宝石;衣云龙;郭瑞;王帅杰;关新;刘莉莹;高微 | 申请（专利权）人： | 沈阳工程学院 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C16/30;C23C16/517;C23C16/18;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 史旭泰 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可低温制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD系统对InN/ZnO/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）ZnO薄膜是在磁控溅射设备上利用射频磁控溅射技术溅射而成的，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气。 | ||
| 搜索关键词： | ecr pemocvd 系统 inn zno 支撑 金刚石 膜结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
ECR‑PEMOCVD系统对InN/ZnO/自支撑金刚石膜结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）ZnO薄膜是在磁控溅射设备上利用射频磁控溅射技术溅射而成的，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气；3）最后采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将基片加热至300℃～500℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（4～5）：（100～150），控制气体总压强，电子回旋共振反应30min～3h，得到在ZnO/自支撑金刚石膜结构上的InN光电薄膜。
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