[发明专利]薄膜晶体管、电路及其制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 201310293757.X | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103545376A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | K.M.奥尼尔;J.P.V.马斯 | 申请（专利权）人： | 创造者科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管、电路及其制造方法及显示装置。一种底部栅极底部接触式薄膜晶体管，包括栅极电极、源极电极、漏极电极、介电层及由半导体氧化物所构成的半导体氧化层。介电层设置于栅极电极与半导体层之间，且半导体层覆盖源极电极及漏极电极。源极电极及漏极电极至少包括由氧还原材料所构成的第一电极部，及由不同于氧还原材料的另外的材料所构成的第二电极部。漏极的第二电极部中面向源极的一侧将漏极的第一电极部中背向介电层的主要表面的至少一局部表面暴露于半导体层，且其中源极的第二电极部中面向漏极的一侧将源极的第一电极部中背向介电层的主要表面的至少一局部表面暴露于半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 电路 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种底部栅极底部接触式薄膜晶体管，包括：栅极电极；源极电极；漏极电极；介电层；以及半导体层，包括至少一半导体氧化层；其中该介电层设置于该栅极电极与该半导体层之间，且其中该半导体层覆盖该源极电极及该漏极电极，且该源极电极及该漏极电极通过该半导体层内的半导体材料彼此分开，该源极电极及该漏极电极至少包括由一氧还原材料所构成的一第一电极部，及由不同于该氧还原材料的一另外的材料所构成的一第二电极部，该第一电极部的一主要表面背向该介电层，其中在该漏极电极中面向该源极电极的一侧，该漏极电极的该第一电极部的该主要表面具有至少一局部表面暴露于该半导体层，且其中在该源极电极中面向该漏极电极的一侧，该源极电极的该第一电极部的该主要表面具有至少一局部表面暴露于该半导体层。
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