[发明专利]复式多量子阱发光层结构的生长方法及LED 外延结构有效
| 申请号： | 201310293483.4 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103346219A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;郑隽 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种复式多量子阱发光层结构的生长方法及相应的LED外延结构，所述外延结构的阱发光层包括6-8个单元层，每一单元层从下至上依次包括：第一阱层、第二阱层、第一磊层、第一阱层、第二阱层、第二磊层。本发明采用复式多量子阱改善了传统多量子阱由于阱磊层应力导致的波函数分离的情况，改善了传统多量子阱由于磊宽导致阱层空穴浓度过低的情况；提升了LED芯片的内部量子阱效率得到，宏观上提高中小尺寸LED芯片的亮度，提高大尺寸LED芯片的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 复式 多量 发光 结构 生长 方法 led 外延 | ||
【主权项】：
一种复式多量子阱发光层结构的生长方法，其特征在于，包括以下几个步骤：A、将温度控制在710‑750℃，反应室压力控制在300‑400mbar，通入In的流量为1500‑1700sccm，生长掺杂In的2.7‑3.5nm的InxGa（1‑x）N阱层，x=0.20‑0.22；B、保持温度和压力不变，通入In的流量为300‑450sccm，生长掺杂In的0.5‑1.0nm的InzGa（1‑z）N阱层，z=0.04‑0.08，C、保持压力不变，升温至810‑840℃，通入Al的流量为30‑50sccm，通入In的流量为800‑1000sccm，生长4‑6nm的掺杂Al、In的Alx1Inx2Ga（1‑x1‑x2）N磊层，x1=0.04‑0.05，x2=0.10‑0.12；D、重复步骤A、B；E、保持压力不变，升温至810‑840℃生长10‑12nm的GaN磊层；F、重复步骤A、B、C、D、E6‑8次，直至阱发光层的总体厚度达到162‑216nm。
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